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IFS100B12N3E4_B31中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IFS100B12N3E4_B31
廠商型號

IFS100B12N3E4_B31

功能描述

MIPAQ??ase Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und Strommesswiderstand

文件大小

702.34 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-18 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IFS100B12N3E4_B31

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 MIPAQ BASE 1200V 100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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