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IGP50N60T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGP50N60T
廠商型號(hào)

IGP50N60T
參數(shù)屬性

IGP50N60T 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 100A 333W TO220-3
功能描述

LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
IGBT 600V 100A 333W TO220-3
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

402.03 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-12 9:02:00
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IGP50N60T規(guī)格書詳情

IGP50N60T屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGP50N60T晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

? Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)

? Maximum Junction Temperature 175 °C

? Short circuit withstand time – 5μs

? Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply

? Trench and Fieldstop technology for 600 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- very high switching speed

- low VCE(sat)

? Positive temperature coefficient in VCE(sat)

? Low EMI

? Low Gate Charge

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IGP50N60TXKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，50A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    2.6mJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    26ns/299ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，50A，7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO220-3-1

  • 描述：

    IGBT 600V 100A 333W TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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