首頁(yè)>IHD06N60RA>詳情

IHD06N60RA 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINOEN

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IHD06N60RA

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINOEN

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9852

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    1822+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-24 14:57:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：IHD06N60RA品牌：INFINOEN

只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!

  • 芯片型號(hào)：

    IHD06N60RA

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    12 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    824.92 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IHD06N60RA

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，6A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    150μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    25ns/125ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，6A，14.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO252-3-11

  • 描述：

    IGBT 600V 12A 88W TO252-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    柯小姐

  • 手機(jī)：

    18571346077

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88917652

  • 傳真：

    0755-82569753

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號(hào)華勻1棟5樓B14

相近型號(hào)