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IHD10N60RA | Reverse conducting IGBT with monolithic body diode | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
IHD10N60RA | Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:管件 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 20A 110W TO252-3 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,aircon | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
RC-DriveandRC-DriveFast | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
600VTRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IHD10N60RA
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
TrenchStop?
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,10A
- 開(kāi)關(guān)能量:
270μJ
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
-/170ns
- 測(cè)試條件:
400V,10A,23 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO252-3-11
- 描述:
IGBT 600V 20A 110W TO252-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
英飛翎 |
17+ |
DPAK(TO-252) |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO252-3 |
2500 |
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2023+ |
DPAK(TO- |
80000 |
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
JINGDAO/晶導(dǎo)微 |
23+ |
SMB(DO-214AA) |
69820 |
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
1503+ |
TO252-3 |
3000 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
DPAK(TO-252) |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2523 |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
TO-252 |
5590 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
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