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IHW30N110R3

Marking:H30R1103;Package:PG-TO247-3;Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

Features: ?Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly ?Verytightparameterdistribution ?Highruggedness,temperaturestablebehavior ?LowVCEsat ?Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature coefficientinVCEsat ?LowEMI ?QualifiedaccordingtoJEDECfo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N110R3FKSA1

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N110R3XKSA1

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT TO-247-3

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    IHW30N110R3

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 IGBT PRODUCTS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IHW30N110R3供應商 更新時間2025-2-12 16:36:00