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IHW40N60RF分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IHW40N60RF
廠商型號

IHW40N60RF

參數(shù)屬性

IHW40N60RF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 80A 305W TO247-3

功能描述

Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only
IGBT 600V 80A 305W TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

2.03555 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-28 16:00:00

IHW40N60RF規(guī)格書詳情

IHW40N60RF屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產的IHW40N60RF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IHW40N60RFKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,40A

  • 開關能量:

    750μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    -/193ns

  • 測試條件:

    400V,40A,5.6 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 305W TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
23+
標準封裝
7000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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Infineon(英飛凌)
22+
標準封裝
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PG-TO247-3
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