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IHY30N160R2XKSA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 變式 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1600V 30A 312W TO247HC-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N160R2

TrenchStopReverseConducting(RC-)IGBTwithmonolithicbodydiode

TrenchStop?ReverseConducting(RC-)IGBTwithmonolithicbodydiode Features: ?PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage ?Bodydiodeclampsnegativevoltages ?TrenchandFieldstoptechnologyfor1600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -hi

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IHY30N160R2

TrenchStopReverseConducting(RC-)IGBTwithmonolithicbodydiode

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IHY30N160R2XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    2.53mJ

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/525ns

  • 測試條件：

    600V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247HC-3

  • 描述：

    IGBT 1600V 30A 312W TO247HC-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IHY30N160R2XK供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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