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IKP06N60T

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKP06N60T

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKP06N60T

IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKU06N60R

RC-DriveandRC-DriveFast

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKU06N60R

??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

NDF06N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDF06N60Z

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDF06N60Z

N-ChannelPowerMOSFET600V,1.2

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDF06N60Z

NDP06N60Z

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDF06N60ZG

NDP06N60Z

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IKB06N60T

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
24+
TO-263
1612
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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Infineon
24+
TO-263
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絕對原裝現(xiàn)貨,價(jià)格低,歡迎詢購!
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INFINEON/英飛凌
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全新原裝現(xiàn)貨
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INFINEON
24+
TO-263
36800
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原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠
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TO-263
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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更多IKB06N60T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-8 8:12:00

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