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IKP03N120H2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKP03N120H2
廠商型號(hào)

IKP03N120H2
參數(shù)屬性

IKP03N120H2 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
功能描述

HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

381.11 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-11 23:00:00

IKP03N120H2規(guī)格書詳情

IKP03N120H2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKP03N120H2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IKP03N120H2XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，3A

  • 開關(guān)能量：

    290μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    9.2ns/281ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，3A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO220-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7133
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
NA/
360
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
INFINEON
23+
3A,1200V
20000
全新原裝假一賠十
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO220
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
 詢價(jià)
INFINEON
14+
TO-220
360
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO-247
15000
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨
 詢價(jià)
INFINEO
22+23+
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