IMT65R010M2H中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	IMT65R010M2H
功能描述	CoolSiC? MOSFET 650 V G2
絲印標(biāo)識(shí)	65R010M2
封裝外殼	PG-HSOF-8
文件大小	1.36664 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量	18 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱	Infineon【英飛凌】
中文名稱	英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-4-6 19:10:00
人工找貨	IMT65R010M2H價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

Features

? Ultra?low switching losses

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

? Robust against parasitic turn?on even with 0 V turn?off gate voltage

? Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme

? Robust body diode operation under hard commutation events

? .XT interconnection technology for best?in?class thermal performance

Benefits

? Enables high efficiency and high power density designs

? Facilitates great ease of use and integration

?Provides the best price performance ratio compared to Industry’s most

ambitious roadmaps

? Reduces the size, weight and bill of materials of the systems

? Enhances system robustness and reliability

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市明嘉萊科技有限公司	IMT901	N/A	24+	NA	990000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
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