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IMT65R022M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

IMT65R022M1H
廠商型號

IMT65R022M1H

參數(shù)屬性

IMT65R022M1H 封裝/外殼為8-PowerSFN;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:SILICON CARBIDE MOSFET

功能描述

SiC N-Channel MOSFET

封裝外殼

8-PowerSFN

文件大小

420.31 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-26 10:23:00

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IMT65R022M1H規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current -ID= 79A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 20V

APPLICATIONS

·Switch Mode Power Supply (SMPS)

·Uninterruptible Power Supply (UPS)

·Power Factor Correction (PFC)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IMT65R022M1HXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    CoolSiC?

  • 包裝:

    管件

  • 技術(shù):

    SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    18V

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-HSOF-8-1

  • 封裝/外殼:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    SILICON CARBIDE MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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