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IMZA65R027M1H分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

IMZA65R027M1H
廠商型號

IMZA65R027M1H

參數(shù)屬性

IMZA65R027M1H 包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

功能描述

650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

文件大小

1.48466 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-24 17:22:00

IMZA65R027M1H規(guī)格書詳情

IMZA65R027M1H屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMZA65R027M1H晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IMZA65R027M1HXKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    管件

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    59A(Tc)

  • 描述:

    MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON
22+
NA
8310
原裝正品支持實單
詢價
Infineon/英飛凌
23+
PG-TO247-4-3
25630
原裝正品
詢價
Infineon/英飛凌
21+
PG-TO247-4-3
6000
原裝現(xiàn)貨正品
詢價
Infineon
23+
PG-TO247-4
15500
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售
詢價
Infineon/英飛凌
21+
PG-TO247-4-3
6820
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-247-4
7962
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
詢價
INFINEON
24+
TO-247-3
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
詢價
INFINEON
23+
TO-247-3
20000
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO-247-3
400
原裝正品
詢價
INFINEON
24+
con
10000
查現(xiàn)貨到京北通宇商城
詢價