NTF5P03T3低導(dǎo)通電阻P溝道MOSFET,優(yōu)化電源與負(fù)載管理

2025-2-11 15:55:00
  • NTF5P03T3是一款P溝道功率MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和高電流處理能力,專(zhuān)為高效電源管理和負(fù)載控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件支持高達(dá)-30V的漏源電壓,具有快速開(kāi)關(guān)性能和低功耗特性,適用于直流電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載保護(hù)等場(chǎng)景。其緊湊封裝和可靠性能使其成為工業(yè)設(shè)備、

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產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性

制造商: onsemi

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: ?詳細(xì)信息

REACH?-?SVHC: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-223-3

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 5.2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 150 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 15 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.13 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): onsemi

配置: Single

下降時(shí)間: 20 ns, 24 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 2 S

高度: 1.57 mm

長(zhǎng)度: 6.5 mm

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFETs

上升時(shí)間: 33 ns, 45 ns

系列: NTF5P03

工廠包裝數(shù)量: 4000

子類(lèi)別: Transistors

晶體管類(lèi)型: 1 P-Channel

類(lèi)型: MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 38 ns, 23 ns

典型接通延遲時(shí)間: 10 ns, 16 ns

寬度: 3.5 mm

單位重量: 250 mg

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