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IPB023N04N

Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB023N04NF2S

Marking：023N04NS；Package：PG-TO263-3；StrongIRFETTM2 Power-Transistor

Features ?Optimizedforwiderangeofapplications ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB023N04NG

OptiMOS?? Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSZ023N04LS

NewOptiMOS??40Vand60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPP023N04N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP023N04N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP023N04NG

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

NVLJWD023N04CL

MOSFET–Power,DualN-Channel40V,23m,25A

Features ?SmallFootprintforCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVLJWD023N04CLTAG

MOSFET–Power,DualN-Channel40V,23m,25A

Features ?SmallFootprintforCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

TF023N04NG

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

●GeneralDescription TheTF023N04NGusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitchin

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPB023N04N

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
23+
TO263-3
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
INFINEON
1110+
TO263
366
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
23+
20000
全新、原裝、現(xiàn)貨
 詢價(jià)
E-Switch
2022+
NEW IN ORIGINAL
6000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO263
11220
英飛凌優(yōu)勢(shì)原裝IC,高效BOM配單。
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
D2PAK(TO-263)
20000
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
 詢價(jià)
ADI
23+
D2PAK(TO-263)
7000
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO263-3
90548
詢價(jià)
I
24+
TO263
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
更多IPB023N04N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 14:30:00

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