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IPB60R125C6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IPB60R125C6 |
| 功能描述 | MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | PG-TO263 |
| 文件大小 |
1.26355 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
18 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-30 10:18:00 |
IPB60R125C6規(guī)格書詳情
Features
* Extremely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss
* Very high comutation ruggedness
* Easy to ues/drive
* JEDEC qualified, Pb-free plating, Halogen free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IPB60R125C6
- 功能描述：
MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
1931+ |
N/A |
721 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON |
20+ |
D2PAK(TO-263) |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
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INFINEON/英飛凌 |
23+ |
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Infineon |
22+ |
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Infineon(英飛凌) |
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Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品 |
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INFINEON |
2021+ |
9450 |
原裝現(xiàn)貨。 |
詢價(jià) | |||
英飛翎 |
17+ |
D2PAK(TO-263) |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
2021/2022+ |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) |
