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IPD09N03LB_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-CH 30V 50A DPAK賽芯源
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
IPD09N03LB
- 功能描述:
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
OptiMOS™
- 標準包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應商
- 企業(yè):
深圳市賽芯源科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
歐陽先生
- 手機:
14776494148
- 詢價:
- 電話:
14776494148
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興路華勻大廈2棟527
相近型號
- IPD09N05
- IPD09N03LAG
- IPD09N05IC
- IPD09N03LA/PSI
- IPD09N20
- IPD09N03LA
- IPD09N3LAG
- IPD09N03L
- IPD09NO3LA
- IPD09N03BL
- IPD09P06PL
- IPD09N03AL
- IPD10
- IPD09N032AL-AP
- IPD100N04S4
- IPD09N03
- IPD100N04S4-02
- IPD09E120
- IPD100N04S4-024N0402
- IPD100N04S402ATMA1
- IPD096N08N3GBTMA1
- IPD100N04S4-02-VB
- IPD096N08N3GATMA1
- IPD100N04S4L-02
- IPD096N08N3GAT
- IPD096N08N3G096N08N
- IPD100N04S4L02ATMA1
- IPD096N08N3G
- IPD100N04S5-02
- IPD096N08N3
- IPD100N06
- IPD100N06S4
- IPD100N06S4-03
- IPD090N03LGIC
- IPD100N06S403ATMA1
- IPD090N03LGBTMA1
- IPD100N06S403ATMA2
- IPD090N03LGATMA1
- IPD090N03LGATM
- IPD100N06S4-03-VB
- IPD090N03LG090N03L
- IPD1-02-D
- IPD090N03LG
- IPD1-02-D-GP-M
- IPD090N03LB
- IPD1-02-D-K
- IPD090N03LAG
- IPD1-02-D-K-M
- IPD090N03LA
- IPD1-02-D-M