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IPD65R600C6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPD65R600C6
廠商型號(hào)

IPD65R600C6

功能描述

650V CoolMOS C6 Power Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

65C6600

封裝外殼

PG-TO252

文件大小

2.09837 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-29 17:40:00

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IPD65R600C6規(guī)格書詳情

Description

CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

Features

? Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss

? Very high commutation ruggedness

? Easy to use/drive

???????? JEDEC1) qualified, Pb-free plating, available in Halogen free mold compound2)

Applications

PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PWM

stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server,

Telecom and UPS.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPD65R600C6

  • 功能描述:

    MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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