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IPD90N04S4-04

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.1mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD90N04S4-04

OptiMOS-T2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPD90N04S4-04-VB供應(yīng)商 更新時間2025-4-12 9:00:00

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