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IPL60R199CP

600V CoolMOS CP Power Transistor

Description TheCoolMOS?CPseriesoffersdeviceswhichprovideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenotsacrificingeaseofuse.Extremelylowswitchingandconductionlossesmakeswitchingapplicationsevenmoreefficient,morecompact,lighter,andcooler. Features ?Reducedboar

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPL60R199CP

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPL60R199CP_15

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R199CP

CoolMOS?PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R199CP

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.199? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPP60R199CP

CoolMOSPowerTransistor

Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: ?Hardswitchingtopologies,forServe

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R199CP

CoolMOS?PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW60R199CP

CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW60R199CP

CoolMOSPowerTransistor

Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: ?Hardswitchingtopologies,forServer

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW60R199CP

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤199m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPL60R199CP

  • 功能描述：

    MOSFET 600V CoolMOSCP Power Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
2016+
QFN
7913
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
PG-VSON-4
18387
原裝進口假一罰十
 詢價
INFINEON/英飛凌
1905+
PG-VSON-4
2400
進口原裝假一賠十支持含稅
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
PG-VSON-4
3960
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
VSON4
10000
只做原裝承諾假一罰十
 詢價
ADI
21+
PG-VSON-4
15000
詢價
Infineon/英飛凌
23+
VSON-4
50000
全新原裝現(xiàn)貨特價銷售,歡迎來電查詢
 詢價
Infineon(英飛凌)
2023+
PG-VSON-4
4550
全新原裝正品
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
VSON-4(8
9908
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
更多IPL60R199CP供應商 更新時間2025-1-24 12:15:00

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