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IPS65R600E6

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET

?CoolMOS? E6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的超結(jié)MOSFET供應(yīng)商的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)與其先進(jìn)的創(chuàng)新技術(shù)所提供的器件具備了快速開關(guān) SJ MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又不犧牲易用性。很低的開關(guān)和通態(tài)損耗使開關(guān)應(yīng)用更高效，結(jié)構(gòu)緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ?\n ? 600V CoolMOS? E6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? E6 可替代 650V CoolMOS? C3 \n; ? 易于控制開關(guān)行為\n? 非常高的換流堅(jiān)固性\n? 由于非常低的優(yōu)質(zhì)系數(shù)(R DS(ON)*Q g) 和 E oss)，因此損耗極低\n? 使用簡便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價(jià)比更高\(yùn)n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低 \n \n\n優(yōu)勢:\n? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關(guān)拓?fù)渲惺褂肻n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關(guān)應(yīng)用中的效率\n? 改進(jìn)了易用性\n? 減輕可能因?yàn)?PCB 布局和封裝寄生效應(yīng)而引;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

IPS65R600E6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

IPS65R600E6_15

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

IIPD65R600E6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?Veryhighcommutationruggedness ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

IIPP65R600E6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

IPA65R600E6

650VCoolMOSE6PowerTransistor

Description CoolMOSTMisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSTMDEseriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresultin

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    IPAK SL (TO-251 SL)

  • VDS?max：

    650.0V

  • RDS (on)?max：

    600.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID ?max：

    7.3A

  • Ptot?max：

    63.0W

  • IDpuls?max：

    18.0A

  • VGS(th)?min?max：

    2.5V?3.5V

  • QG?：

    23.0nC?

  • Rth?：

    2.0K/W?

  • RthJC?max：

    2.0K/W

  • RthJA?max：

    62.0K/W

  • Operating Temperature?min?max：

    -55.0°C?150.0°C

  • Pin Count?：

    3.0Pins?

  • Mounting?：

    THT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
24+
TO-251A
16939
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
Infineon進(jìn)口
1726+
TO-251
6528
只做進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨,假一賠十!
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-251A
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO-251A
1800
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-251
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-251
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
NA/
4450
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO-251A
20000
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
 詢價(jià)
ADI
23+
TO-251A
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ADI
23+
TO-251A
7000
詢價(jià)
更多IPS65R600E6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 14:04:00

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