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IPU60R2K0C6

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET

CoolMOS? C6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)先進(jìn)的超結(jié)MOSFET供應(yīng)商的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)與其先進(jìn)的創(chuàng)新技術(shù)C6 器件具備了快速開關(guān)超結(jié) MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時又不犧牲易用性。很低的開關(guān)和通態(tài)損耗使開關(guān)應(yīng)用更高效，結(jié)構(gòu)緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ? 600V CoolMOS? C6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? C6 可替代 650V CoolMOS? C3\n; ? 易于控制開關(guān)行為\n? 由于非常低的品質(zhì)因數(shù)（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此損耗極低\n? 非常高的換流堅(jiān)固性\n? 使用簡便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價比更高\(yùn)n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低\n\n\n優(yōu)勢:\n?\n ? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關(guān)拓?fù)渲惺褂肻n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關(guān)應(yīng)用中的效率\n? 改進(jìn)了易用性\n? 減輕可能因?yàn)?PCB 布局和封裝寄生效應(yīng)而引;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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Material Content Data Sheet

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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ipak/marking.html">IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

IPU60R2K0C6_15

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    IPAK (TO-251)

  • VDS?max：

    600.0V

  • RDS (on)?max：

    2000.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID ?max：

    2.4A

  • Ptot?max：

    22.3W

  • IDpuls?max：

    6.0A

  • VGS(th)?min?max：

    2.5V?3.5V

  • QG?：

    6.7nC?

  • Rth?：

    5.6K/W?

  • RthJC?max：

    5.6K/W

  • RthJA?max：

    62.0K/W

  • Operating Temperature?min：

    -55.0°C?

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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INFINEON/英飛凌
23+
TO-251
6000
原裝正品，支持實(shí)單
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更多IPU60R2K0C6供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 16:36:00

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