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IRF1010NS中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF1010NS
廠商型號(hào)

IRF1010NS

功能描述

Fully Avalanche Rated

文件大小

1.07508 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-19 8:40:00

IRF1010NS規(guī)格書(shū)詳情

Description

The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.

The through-hole version (IRF1010NL) is available for low profile applications.

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF1010NS

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
21+
TO263
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到
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D2-PAK
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24+
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行業(yè)低價(jià),代理渠道
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INFINEON/英飛凌
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TO-263
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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IR/VISHAY
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SOT-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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2221+
TO-263
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一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
詢價(jià)
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D2PAK (TO-263)
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詢價(jià)