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IRF121中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF121
廠商型號(hào)

IRF121
功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS
文件大小

213.26 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung【三星】

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-7 23:00:00

IRF121規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low RDs

? Improved inductive ruggedness

? Fast switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low input capactiance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliablitiy

? TO-3 package (Standard)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF121

  • 制造商：

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述：

    - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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