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IRF123	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523 MTP10N08/10N10 N-Channel Power MOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF123	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF123	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF123	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF123	文件：68.22 Kbytes Page：7 Pages	8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF123	文件：213.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ?LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF123	文件：48.39 Kbytes Page：2 Pages	Nanosecond Switching Speeds	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF123	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Mosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFD123	文件：360.08 Kbytes Page：6 Pages	1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFD123	文件：1.73655 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching, ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?ForAutomaticInsertion	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD123	文件：934.95 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD123PBF	文件：1.73655 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching, ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?ForAutomaticInsertion	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD123PBF	文件：934.95 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFF123	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors 5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
ISCNH123L	文件：305.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
J123F	文件：130.83 Kbytes Page：2 Pages	ULFclassratedstandard	CIT CIT Relay & Switch	CIT
JMTL123K	文件：183.585 Kbytes Page：4 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JT-123-SLCF	文件：189.7 Kbytes Page：2 Pages	LINEOUTPUTTRANSFORMER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
K123LA	文件：457.28 Kbytes Page：2 Pages	Safetyandsecuritysystems	Ultralife Ultralife Corporation.	Ultralife
KDS123E	文件：442.17 Kbytes Page：3 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowForwardVoltage ?FastReverseRecoveryTime ?SmallTotalCapacitance ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?SuffixU:QualifiedtoAEC-101 ex)KDS123E-RTK/HU	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF123
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF123	Infineon(英飛凌)	23+	TO-204	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF123	IR	24+	TO-3	10000		詢價(jià)
綠盛電子(香港)有限公司	IRF123	IR	2015+	TO-3(鐵帽)	19889	一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF123	IR	23+	TO-3	3000	特價(jià)庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF123	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRF123	IR/MOT	專業(yè)鐵帽	TO-3	1500	原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF123	IR/MOT	專業(yè)鐵帽	TO-3	67500	鐵帽原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	IRF123	三星	2020+		80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢價(jià)
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司	IRF123	三星	2000		11	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)

更多IRF123供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-6 14:40:00

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