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IRFBA1404	文件：115.57 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=3.7mohm,Id=206A) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. Benefits AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Increas	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1404P	文件：115.57 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=3.7mohm,Id=206A) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. Benefits AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance Increas	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1404PPBF	文件：148.17 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETHEXFET?PowerMOSFET Description ThisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedruggednessinsingle	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1404PPBF	文件：205.2 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRL1404	文件：124.86 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRL1404	文件：339.15 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign,providethedesignerwithanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤4.0m? ?Enhancementmode ?FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL1404L	文件：134.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET-RPowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRL1404LPBF	文件：653.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRL1404PBF	文件：133.25 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=4.0m廓,ID=160A)	IRF International Rectifier	IRF
IRL1404PBF	文件：219.46 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF1404ZSTRR
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

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