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IRF1405ZS	文件：291.64 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=55V RDS(on)=4.9m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405ZS	文件：299.72 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1405ZS-7P	文件：688.27 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS=55V RDS(on)=4.9m? ID=120A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtem	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405ZS-7PPBF	文件：696.52 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET? Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 120A ) VDSS=55V RDS(on)=4.9m? ID=120A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtem	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405ZSPBF	文件：812.24 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 75A ) VDSS=55V RDS(on)=4.9m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1405	文件：238.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.0mohm,Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175oCjunctionoperatingtemperature,fas	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1405P	文件：238.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.0mohm,Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175oCjunctionoperatingtemperature,fas	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1405PPBF	文件：153.65 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description StripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisMOSFETarea175oCjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedruggednessinsingleand	IRF International Rectifier	IRF
IRFBA1405PPBF	文件：222.31 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP1405	文件：196.42 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRFP1405	文件：334.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP1405PBF	文件：222.97 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP1405PBF	文件：270.29 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
JUAT1405MPD	文件：643.69 Kbytes Page：1 Pages	RadialLeadType,LowerResistance	nichiconNichicon corporation 尼吉康日本尼吉康株式會社	nichicon
JUAT1405MPD	文件：653.69 Kbytes Page：1 Pages	RadialLeadType,LowerResistance	nichiconNichicon corporation 尼吉康日本尼吉康株式會社	nichicon
KS1405N	文件：97.05 Kbytes Page：1 Pages	7mmAdjustableshieldedIFTCoil(II)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KS1405N	文件：153.8 Kbytes Page：1 Pages	7mmADJUSTABLEIFTCOILS(II)(SHIELDED)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KS1405N-LFR	文件：97.05 Kbytes Page：1 Pages	7mmAdjustableshieldedIFTCoil(II)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KSV1405	文件：35.07 Kbytes Page：1 Pages	SILICONHYPERABRUPTTUNINGDIODES TheKSV1400Seriesofhyperabruptvaractorsofferhighcapacitanceratioswithlineartuningbetween2and8volts. Theunitsareavailableoverabroadrangeofjunctioncapacitances,satisfyingalargenumberofbroadbandapplicationsthrutheVHFfrequencyband.	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
KSV1405	文件：395.12 Kbytes Page：2 Pages	LowInductance	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF1405ZS
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市亞泰盈科電子有限公司	IRF1405ZS	IR/VISHAY		SOT-263	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價(jià)
深圳市美思瑞電子科技有限公司	IRF1405ZS	IR	22+	D2-PAK	9450	原裝正品，實(shí)單請聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF1405ZS	IR	2015+	D2-Pak	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF1405ZS	IR	24+	D2-Pak	8866		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF1405ZS	IR	23+	D2-Pak	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRF1405ZS	IR	2018+	3	6528	只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心	詢價(jià)
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深圳市錦喆鴻電子有限公司	IRF1405ZS	IR	21+	D2-Pak	12588	原裝正品,自己庫存假一罰十	詢價(jià)

更多IRF1405ZS供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 14:00:00

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