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IRF3315L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF3315L
廠商型號

IRF3315L
功能描述

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)
文件大小

197.25 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-19 12:00:00
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IRF3315L規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRF3315S)

● Low-profile through-hole (IRF3315L)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF3315L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 150V 21A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務
 詢價
IR
2022+
TO262
57550
詢價
IR
17+
TO-220
6200
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05+
原廠原裝
18316
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
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23+
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2000000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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12500
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原裝
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