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IRF3315S	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315S	文件：189.07 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3315SPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF_15	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
KSM3315	文件：667.13 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LANE3315NDH	文件：381.17 Kbytes Page：6 Pages	1WattOutputPower	WALL Wall Industries Inc	WALL
LANE3315NH	文件：381.17 Kbytes Page：6 Pages	1WattOutputPower	WALL Wall Industries Inc	WALL
LP3315	文件：424.14 Kbytes Page：8 Pages	1.2MHzFixed-FrequencyPWMOperation	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半導(dǎo)體微源半導(dǎo)體股份有限公司	POWER
LTC3315A	文件：1.4995 Mbytes Page：16 Pages	1.75ASynchronousStep-DownRegulatorin1.6mm×1mmWLCSP FEATURES -VOUTRange:0.5Vto3.65V -2MHzSwitchingFrequency -LowRippleBurstMode?orForcedContinuous ModeofOperation -HighEfficiency:30mΩNMOS,100mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -22nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductor	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.74276 Mbytes Page：28 Pages	5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcher2in3mmx3mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.61766 Mbytes Page：28 Pages	5V,Dual6A/Dual-Phase12AStep-DownDC/DCRegulator	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.79594 Mbytes Page：26 Pages	5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mmx3mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：1.78044 Mbytes Page：22 Pages	Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：1.9564 Mbytes Page：24 Pages	Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：3.15591 Mbytes Page：26 Pages	5V,3ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin2mmx2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：1.78442 Mbytes Page：28 Pages	5V,15ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mm×3mmLQFN FEATURES -LayoutCompatiblewithLTC3310/LTC3311Family -SilentSwitcher?Architecture -UltralowEMIEmissions -HighEfficiency:3mΩNMOSand8mΩPMOS -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.14377 Mbytes Page：26 Pages	5V,Dual4A/Dual-Phase8AStep-DownDC/DCRegulatorin2.2mm×2.7mmWLCSP FEATURES -Dual4AOutputs -ConfigurableasSingleOutput,2-Phase8ABuck -HighEfficiency:12mΩHigh-Sideand8mΩLow-Side -±1MaximumTotalDCOutputError -WideBandwidth,FastTransientResponse -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0.5VtoVIN -ProgrammableFrequencyto3MHz	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.55778 Mbytes Page：20 Pages	5V,2ASynchronousStep-DownRegulatorin2mm×2mmFCQFN FEATURES -HighEfficiency:30mΩNMOS,85mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -27nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -Low-RippleBurstMode?OperationwithIQof80μA -Upto6MHzOperation -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315AEV#TRMPBF	文件：1.9564 Mbytes Page：24 Pages	Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF3315S
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市美思瑞電子科技有限公司	IRF3315S	IR	22+	D2-PAK	9450	原裝正品，實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	IRF3315S	IR	24+	TO-263	501273	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF3315S	IR	24+	TO-263	6000	一般納稅人資質(zhì)，只做原裝正品。	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRF3315S	IR	2016+	TO-263	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRF3315S	IR	06+	TO-263	5000	自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF3315S	IR	23+	TO263	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRF3315S	IR	16+	(TO263)	1523	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF3315S	IR	24+	D2-Pak	8866		詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IRF3315S	IR		TO-263	1000	原裝長(zhǎng)期供貨!	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRF3315S	IR	2020+	TO263	1058	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)

更多IRF3315S供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 16:24:00

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