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IRF3710PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF3710PBF
廠商型號(hào)

IRF3710PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

185.06 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-25 23:35:00

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IRF3710PBF規(guī)格書詳情

VDSS = 100V

RDS(on) = 23m?

ID = 57A

Description

Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF3710PBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
23+
NA
9990
只有原裝
詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO220AB
32048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
詢價(jià)
INFINEON
23+
K-B
188000
只有原裝,請(qǐng)來(lái)電咨詢
詢價(jià)
IR
2020+
TO-220
8000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
IR
1426+
TO-220
51
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO-220AB
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
INFINEON/IR
1907+
NA
14050
20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
詢價(jià)
IR
24+
TO220
12900
原廠原裝貨/代理渠道
詢價(jià)
IR
809
150
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
2024+
TO-220-3
500000
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
詢價(jià)