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IRF3808LPBF

Advanced Process Technology

Description ThisAdvancedPlanarStripeHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fastswitchingspeedandimproved

IRF

International Rectifier

IRF3808LPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRF3808PBF

HEXFETPowerMOSFET

Description DesignedspecificallyforAutomotiveapplications,thisAdvancedPlanarStripeHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtem

IRF

International Rectifier

IRF3808S

AUTOMOTIVEMOSFET

Description DesignedspecificallyforAutomotiveapplications,thisAdvancedPlanarStripeHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemper

IRF

International Rectifier

IRF3808S

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF3808SLPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF3808SPBF

AUTOMOTIVEMOSFET

Description ThisAdvancedPlanarStripeHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fastswitchingspeedandimproved

IRF

International Rectifier

IRF3808SPBF

AdvancedProcessTechnology

Description ThisAdvancedPlanarStripeHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fastswitchingspeedandimproved

IRF

International Rectifier

IRF3808SPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF3808STRRPBF

HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS

Description ThisAdvancedPlanarStripeHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fastswitchingspeedandimproved

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF3808LPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 75V 106A TO-262

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
24+
TO-262-3
140
詢價(jià)
IR
23+
TO-262-3
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
1503+
TO-262
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
IR
23+
TO-262
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
Infineon
22+
NA
2118
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
Infineon Technologies
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
Infineon Technologies
21+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
 詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-26
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
更多IRF3808LPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 16:30:00

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