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IRF432中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF432
廠商型號

IRF432

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

211.24 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-6 18:09:00

IRF432規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low RDs(on) at high voltage

? Improved inductive ruggedness

? Excellent high voltage stability

? Fast switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low input capactiance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliablitiy

? TO-3 package (High voltage)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF432

  • 制造商:

    Vishay Angstrohm

  • TRANSISTOR:

    POWER FET(>1W)

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RCA
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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23+
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19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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10000
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TO-3
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