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IRF5210SPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF5210SPBF
廠商型號

IRF5210SPBF
功能描述

HEXFET Power MOSFET
文件大小

696.34 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-24 23:21:00

IRF5210SPBF規(guī)格書詳情

Description

Features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications.

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● 150°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

● Some Parameters are Different from IRF5210S/L

● P-Channel

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF5210SPBF

  • 功能描述：

    MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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