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IRF634分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

IRF634
廠商型號(hào)

IRF634
參數(shù)屬性

IRF634 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CHANNEL 250V
功能描述

N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY??MOSFET
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

333.68 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-26 17:09:00

IRF634規(guī)格書詳情

Description

Using the latest high voltage MESH OVERLAY? process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performance. The new patented STrip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, makes it suitable in coverters for lighting applications.

General features

■ Extremely High dv/dt Capability

■ 100 Avalanche Tested

Applications

■ Switching application

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRF634STRLPBF

  • 制造商：

    Vishay Siliconix

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    8.1A（Tc）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK（TO-263）

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 描述：

    MOSFET N-CHANNEL 250V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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