零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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IRF6601 | DirectFET??Power MOSFET(Vdss=20V) Description TheIRF6601combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge | IRF International Rectifier | IRF | |
250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
CMOSOperationalAmplifier | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
CMOSOperationalAmplifier | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
CMOSOperationalAmplifier | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
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LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號:
IRF6601
- 功能描述:
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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IRF |
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Infineon Technologies |
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Infineon Technologies |
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