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PT6604R

SingleDevice9AOutput

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

S6604

SiCSchottkyBarrierDiodeBareDie

Features 1)Lowforwardvoltage 3)Temperatureindependentswitchingbehavior 2)Negligiblerecoverytime/current 4)Highsurgecurrentcapability Applications ?SwitchModePowerSupply ?EVCharger ?UninterruptiblePowerSupply ?AirConditioner ?SolarInverter ?MotorDrive

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

SPC6604

N&PPairEnhancementModeMOSFET

SYNC-POWERSYNC POWER Crop.

擎力科技擎力科技股份有限公司

STS6604L

N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

STS6604L

DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel)

RODUCTSUMMARY(N-Channel) VDSSIDRDS(ON)(m?)Max 204A75@VGS=2.5V 60@VGS=4.5V PRODUCTSUMMARY(P-Channel) VDSSIDRDS(ON)(m?)Max -20V-2.5A190@VGS=-2.5V 138@VGS=-4.5V

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

TPC6604

TransistorSiliconPNPEpitaxialType

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPC6604

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

UPD6604

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES ?Programmemory(ROM):1002′10bits ?Datamemory(RAM):32′4bits ?Built-incarriergenerationcircuitforinfraredremotecontrol ?9-bitprogrammabletimer:1channel ?Commandexecutiontime:8ms(whenoperatingatfOSC=1MHz:RCoscillation) ?Stacklevel:1level

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD6604

4-BITSINGLE-CHIPMICROCONTROLLERFORINFRAREDREMOTECONTROLTRANSMISSION

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPD6604GS

4-BITSINGLE-CHIPMICROCONTROLLERFORINFRAREDREMOTECONTROLTRANSMISSION

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF6604TR

  • 功能描述：

    MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRF6604TR供應商 更新時間2025-7-11 16:36:00

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