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IRF6617TR1

HEXFET Power MOSFET

Description TheIRF6617combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IRF6617TR1

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IOR
22+23+
LCC
13397
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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966
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23+
原廠封裝
9896
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原廠封裝
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十
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100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))!
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更多IRF6617TR1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 16:50:00