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IRF6619

DirectFET Power MOSFET

Description TheIRF6619combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout

IRF

International Rectifier

IRF6619

Low Profile (0.7 mm)

IRF

International Rectifier

IRF66191PBF

Low Profile (0.7 mm)

IRF

International Rectifier

IRF6619PBF

DirectFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF6619PBF

Ideal for CPU Core DC-DC Converters

IRF

International Rectifier

IRF6619PBF_15

Ideal for CPU Core DC-DC Converters

IRF

International Rectifier

IRF6619TRPBF

DirectFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF6619TRPBF

Ideal for CPU Core DC-DC Converters

IRF

International Rectifier

LMH6619

130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments

德州儀器

LMH6619MA

PowerWise?130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IRF6619

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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更多IRF6619供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 16:30:00