零件型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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IRF7102 | HEXFET? Power MOSFET Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvanced processingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersilicon area.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice designthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfo | IRF International Rectifier | ||
IRF7102 | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | ||
BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(DUALOPERATIONALAMPLIFIER-DUALCOMPARATORADJUSTABLEVOLTAGEREFERENCE) DUALOPERATIONALAMPLIFIER-DUALCOMPARATORADJUSTABLEVOLTAGEREFERENCE | KECKEC CORPORATION KEC株式會社 | |||
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7060X5Series400/800GDataCenterSwitches | ARISTA Arista Networks, Inc |
技術(shù)參數(shù)
- FET 功能:
標準
- 漏源電壓(Vdss):
50V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):
2A
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):
300 毫歐 @ 1.5A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):
3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):
6.6nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):
120pF @ 25V
- 功率 - 最大值:
2W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154\,3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:
8-SO
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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現(xiàn)貨 |
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誠信交易大量庫存現(xiàn)貨 |
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