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IRF7313

HEXFET POWER MOSFET

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRF

IRF7313

Dual N Channel MOSFET

Features VDs(V=30V RpsoN)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

EVVOSEMI

IRF7313

30V 雙 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封裝

\n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 動態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 雙 N 通道 MOSFET\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

IRF7313TR

絲?。?strong>IRF7313；Package：SOP-8；Dual N Channel MOSFET

Features VDs(V=30V RpsoN)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

EVVOSEMI

IRF7313PBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF

IRF7313PBF

Generation V Technology

IRF

International Rectifier

IRF

IRF7313PBF

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF

IRF7313PBF_15

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF

IRF7313PBF-1

Industry-standard pinout SO-8 Package

IRF

International Rectifier

IRF

IRF7313PBF-1

30V 雙 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封裝

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IRF7313TRPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    SO8

  • VDS max：

    30 V

  • RDS (on) @10V max：

    29 m?

  • RDS (on) @4.5V max：

    46 m?

  • ID @25°C max：

    6.5 A

  • QG typ @10V：

    22 nC

  • Polarity：

    N+N/N+N

  • VGS(th) min：

    1 V

  • Technology：

    IR MOSFET?

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更多IRF7313供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 18:01:00

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