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IRF7324	文件：104.75 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description NewtrenchHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324	文件：365.27 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel MOSFET ●TrenchTechnology ●UltraLowOn-Resistance ●LowProfile(	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7324D1	文件：164.18 Kbytes Page：8 Pages	FETKY MOSFET / Schottky Diode Description TheFETKYfamilyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combining	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324D1PBF	文件：134.21 Kbytes Page：8 Pages	FETKY??OSFET / Schottky Diode Description TheFETKYfamilyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combining	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324D1TR	文件：164.18 Kbytes Page：8 Pages	FETKY MOSFET / Schottky Diode Description TheFETKYfamilyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combining	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324PBF	文件：164.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm) Description NewtrenchHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324TR	文件：365.27 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel MOSFET ●TrenchTechnology ●UltraLowOn-Resistance ●LowProfile(	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7324PBF	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324PBF	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	Trench Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324PBF_15	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324PBF-1	文件：191.35 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324PBF-1_15	文件：191.35 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324TRPBF	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	Trench Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324TRPBF	文件：2.12445 Mbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF7324
功能描述：
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
HEXFET®
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁(yè)面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市匯萊威科技有限公司	IRF7324	IR	24+	SOP-8	500588	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市中福國(guó)際管理有限公司	IRF7324	INFINEON/英飛凌	23+	SO-8	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低	詢價(jià)
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更多IRF7324供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-12 17:06:00

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