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IRF820STRRPBFA	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI820A	文件：229.29 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=500V ?LowerRDS(ON):2.000?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI820B	文件：649.33 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI820G	文件：1.79738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI820G	文件：279.16 Kbytes Page：6 Pages	HexfetPowermosfet	IRF International Rectifier	IRF
IRFI820G	文件：919.6 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRFS820	文件：270.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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IRFS820A	文件：264.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS820B	文件：858.42 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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ISR820	文件：29.91 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
JCT820	文件：214.55 Kbytes Page：1 Pages	SCRChip	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微電江蘇捷捷微電子股份有限公司	JIEJIE
KM820K	文件：34.04 Kbytes Page：1 Pages	R.F.MoldedChokes [OhmiteMfg.Co.]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
L-820	文件：20.59 Kbytes Page：1 Pages	HighBias/HighLAudioFrequencyInductors HighBias/HighLAudioFrequencyInductors Multi-PurposeApplications: BatteryFeed HoldingCoil SurgeRetardCoil	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
LED820	文件：1.12693 Mbytes Page：8 Pages	InfraredLED	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER
LMV820	文件：663.07 Kbytes Page：32 Pages	Tinypackages Description TheLMV82xandLMV82xAseriesofsingle,dual,andquadoperationalamplifiersofferlowvoltageoperationwithrail-to-railoutputswing.TheyoutperformtheindustrystandardLMV321,especiallywithregardtothegainbandwidthproduct(5.5MHz).TheLMV821,LMV822andLMV824areof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS

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