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IRF832中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF832
廠商型號

IRF832

功能描述

N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V

文件大小

122.44 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-7 22:30:00

IRF832規(guī)格書詳情

Description

These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high voltage, high spaed applications, such as off-line switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers.

? VGS Rated at ± 20V

? Silicon Gate for Fast Switching Speeds

? IDSS. VDs(on), SOA and VQS(ih) Specified at Elevated Temperature

? Rugged

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF832

  • 制造商:

    Samsung Semiconductor

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
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