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IRF840LCPBF	文件：1.51385 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesigniticantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCPBF	文件：157.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCPBF	文件：993.4 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF840LCPBF-BE3	文件：157.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCS	文件：173.93 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) Description ThisnewseriesoflowchargeHEXFET?powerMOSFETsachievesignificantlowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedeviceMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducegatedriverequirem	IRF International Rectifier	IRF
IRF840LCS	文件：156.42 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF840LCS	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCS	文件：175.22 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCS	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Ultralowgatecharge ?Reducedgatedriverequirement ?Enhanced30VVGSrating ?ReducedCiss,Coss,Crss ?Extremelyhighfrequencyoperation ?Repetitiveavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCSPBF	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCSPBF	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCSTRR	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCSTRRPBF	文件：175.22 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCSTRRPBF	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840PBF	文件：895.33 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF840PBF	文件：135.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840PBF	文件：994.12 Kbytes Page：6 Pages	8.8A,500VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
IRF840S	文件：172.32 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRF840S	文件：145.74 Kbytes Page：1 Pages	PowerMOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF840S	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
IRF840LCPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF840LCPBF	Vishay Siliconix	24+	TO-220AB	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
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更多IRF840LCPBF供應(yīng)商更新時間2025-1-7 22:28:00

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