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PMN28UNE

Marking：3G；Package：SOT457；20 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT457(SC-74)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?Electro

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安世安世半導體(中國)有限公司

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更多PMN28UNE供應商 更新時間2025-2-3 10:03:00

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