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IRF9630STRLPBFA	文件：181.35 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Surfacemount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9630G	文件：952.14 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9630G	文件：172.98 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=-4.3A) ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9630G	文件：1.5792 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9630GPBF	文件：1.5792 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9630GPBF	文件：926.32 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET?PowerMOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRFS9630	文件：260.399 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10mA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):0.581Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KAC-9630	文件：646.08 Kbytes Page：22 Pages	KODAKKAC-9630CMOSIMAGESENSOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
LM9630	文件：150.26 Kbytes Page：2 Pages	LM9630100x128,580fpsUltraSensitiveMonochromeCMOSImageSensor	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM9630BIEA	文件：150.26 Kbytes Page：2 Pages	LM9630100x128,580fpsUltraSensitiveMonochromeCMOSImageSensor	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM9630EVAL-KIT	文件：150.26 Kbytes Page：2 Pages	LM9630100x128,580fpsUltraSensitiveMonochromeCMOSImageSensor	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM9630HEADBOARD	文件：150.26 Kbytes Page：2 Pages	LM9630100x128,580fpsUltraSensitiveMonochromeCMOSImageSensor	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM9630SAMPLE-KIT	文件：150.26 Kbytes Page：2 Pages	LM9630100x128,580fpsUltraSensitiveMonochromeCMOSImageSensor	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
PE9630	文件：247.09 Kbytes Page：2 Pages	75OhmTNCFemaletoBNCMaleAdapter	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
SFI9630	文件：255.06 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):0.581Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SFP9630	文件：248.61 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:-10mA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):0.581Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SFS9630	文件：260.399 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10mA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):0.581Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SFW9630	文件：255.06 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):0.581Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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SIHF9630	文件：153.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFETS FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?P-Channel ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethe designerwiththebestcombinationof	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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