IRF9Z34NL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF9Z34NL規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRF9Z34NS)
Low-profile through-hole (IRF9Z34NL)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
P-Channel
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF9Z34NL
- 功能描述：
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262 |
501151 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
INTERNATIONA |
22+ |
NA |
5000 |
絕對全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-262 |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
原廠封裝 |
350000 |
100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO/262 |
7000 |
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IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO262 |
20000 |
原裝正品 歡迎咨詢 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
9960 |
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢 |
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IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
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