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IRFB11N50APBF	文件：159.78 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB11N50APBF	文件：178.24 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB11N50APBF-BE3	文件：178.24 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS11N50A	文件：322.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.52?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS11N50A	文件：351.68 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS11N50A	文件：118.81 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?Uninterr	IRF International Rectifier	IRF
IRFS11N50A	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand ??AvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFS11N50APBF	文件：350.04 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFS11N50ATRL	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand ??AvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS11N50ATRLPA	文件：350.04 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS11N50ATRLPBF	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand ??AvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFSL11N50A	文件：371.69 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare? R	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFB11N50APBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市富利微電子科技有限公司	IRFB11N50APBF	VISHAY	23+	TO-220	5988	保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRFB11N50APBF	VISHAY	2020+	TO-220	9600	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFB11N50APBF	Vishay Siliconix	24+	TO-220AB	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市榮澤信電子科技有限公司	IRFB11N50APBF	IR	24+	TO-220	15000	全新原裝的現(xiàn)貨	詢價
深圳市金芯陽科技有限公司	IRFB11N50APBF	VISHAY	15+	原廠原裝	4000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市賽爾通科技有限公司	IRFB11N50APBF	IR	23+	TO-220	65400		詢價
深圳市訊順達(dá)科技有限公司	IRFB11N50APBF	VISHAY	21+	TO-22O	10000	全新原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	IRFB11N50APBF	VISHAY	2122+	TO-220	8000	原裝正品,假一賠十!	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRFB11N50APBF	VISHAY	23+	TO-22O	10000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市美思瑞電子科技有限公司	IRFB11N50APBF	IR	22+	原廠封裝	15850	原裝正品，實(shí)單請聯(lián)系	詢價

更多IRFB11N50APBF供應(yīng)商更新時間2025-1-12 19:53:00

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