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IRFB18N50K中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFB18N50K
廠商型號

IRFB18N50K

功能描述

Power MOSFET

文件大小

2.68732 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-29 23:00:00

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IRFB18N50K規(guī)格書詳情

1. Low Gate Charge QgResults in Simple Drive Requirement

2. Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

3. Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

4. Low RDS(on)

5. Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFB18N50K

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 17 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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