首頁(yè)>IRFD120>規(guī)格書詳情

IRFD120中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFD120
廠商型號(hào)

IRFD120

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.73217 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-22 23:00:00

IRFD120規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? For Automatic Insertion

? End Stackable

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Lead (Pb)-free Available

?

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFD120

  • 功能描述:

    MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
NA/
13
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
ON
23+
DIP
6500
全新原裝假一賠十
詢價(jià)
INTERNATIONALRECTIFIER
2020+
NA
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
IR
24+
DIP-4
16800
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?
詢價(jià)
IR-VISHA
1815+
DIP4
6528
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
詢價(jià)
IR
0703+
DIP4
10
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
IR
22+
DIP
5000
詢價(jià)
23+
TO-220
12800
專注原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)中量大可定
詢價(jià)
IR
98+
DIP
33
詢價(jià)
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)