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IRFH9310	文件：771.83 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheIRFH9310usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-30VID=-90A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFH9310	文件：296.42 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFH9310PBF	文件：296.42 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen	IRF International Rectifier	IRF
IRFH9310PBF	文件：296.42 Kbytes Page：9 Pages	Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application	IRF International Rectifier	IRF
IRFH9310PBF_15	文件：296.42 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen	IRF International Rectifier	IRF
IRFH9310TRPBF	文件：296.42 Kbytes Page：9 Pages	Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9310	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310	文件：116.78 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-400V,Rds(on)=7.0ohm,Id=-1.8A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9310	文件：247.16 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310	文件：3.34757 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310	文件：3.34658 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310	文件：267.35 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Fullyavalancherated ?Surface-mount(IRFR9310,SiHFR9310) ?Straightlead(IRFU9310,SiHFU9310) ?P-channel ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgenerat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310PBF	文件：252.41 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description ThirdgenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9310PBF	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFR9310TR	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310TR	文件：3.34757 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
IRFH9310
功能描述：
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -40A 4.6mOhm -4.5V capble
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市中福國際管理有限公司	IRFH9310	INFINEON/英飛凌	23+	PQFN5X68L	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRFH9310	IR	2022+	DFN56	30000	進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價

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